СВЧ-ТРАНЗИСТОРЫ СРЕДНЕЙ МОЩНОСТИ

Транзистор

Параметр

n-p-n

Iкбо
при Uкб
мА/В

Iэбо
при Uэб
мА/В

h21э
ед.

Frp
Мгц

Ск
пф

т к
пС

Uкб max
В

Uкэ max
В

Uэб max
В

Iк max
А

I к имп
А

Iб max
А

P max
Вт

Рт max
Вт

2Т606А

1/65

0,1/4

3,5

400

10

0,01

65

75

4

0,4

0,8

0,1

0,8

2,5

КТ606А

1,5/65

0,3/4

3

400

10

0.012

65

70

4

0,4

0,8

0,1

0,8

2,5

КТ606Б

1,5/65

0,3/4

3

400

10

0,012

65

70

4

0,4

0,8

0,1

0,6

2,0

2Т607А-4

н/д

н/д

7

000

4

10

40

35

3

0,125

н/д

н/д

0,3

1,0

КТ607А-4

н/д

н/д

9

1000

4

10

40

35

4

0,15

н/д

н/д

0.9

1.5

КТ607Б-4

н/д

н/д

15

1000

4,5

25

30

30

4

0,15

н/д

н/д

0,8

1,5

2Т610А

0,5/20

0,1/4

50-250

000

4,1

35

26

26

4

0,3

н/Д

н/д

1,5

н/д

2Т610Б

0,5/20

0,1/4

20-250

700

4,1

18

26

26

4

0,3

н/д

н/д

1,5

н/д

КТ610А

0,5/20

0,1/4

50-300

000

4,1

55

26

26

4

0,3

н/д

н/д

1,5

н/д

КТ610Б

0,5/20

0,1/4

50-300

700

4,1

22

26

26

4

0,3

н/д

н/д

1,5

н/д

2Т633А

0,003/30

0,003/4

40-140

600

3,3

10

30

н/д

4,5

0,2

0,5

0,12

0,36

1,2

КТ633Б

0,01/30

0,01/4

20-160

600

3,3

10

30

н/д

4,5

0,2

0,5

0,12

0,36

1,2

2Т634А

1/30

0,2/3

н/д

1800

2

3,5

50

50

3

0,15

0,25

0,07

0,96

1.8

КТ634Б

2/30

0,4/3

н/д

1800

2

3,5

30

30

3

0,15

0,25

0,07

0,96

1,8

2Т637А

0,1/30

0,2/2,5

30-140

1300

3

3

30

30

2,5

0,2

0,3

0,1

1,5

н/д

КТ637А

0,1/30

0,2/2,5

30-140

1300

3

3

30

30

2,5

0,2

0,3

0,1

1,5

н/д

КТ637Б

2/30

0,2/2,5

30-140

800

3

12

30

30

2,5

0,2

0,3

0,1

1,5

н/д

2Т640А

0,5/25

0,1/3

min 15

3000

1,3

0,6

25

25

3

0,06

н/д

н/д

0,6

н/д

КТ640А

0,5/25

0,1/3

min 15

3000

1,3

0,6

25

25

3

0,06

н/д

н/д

0,6

н/д

КТ640Б

0,5/25

0,1/3

min 15

3800

1,3

1

25

25

3

0,06

н/д

н/д

0,6

н/д

КТ640В

0,5/25

0,1/3

min 15

3800

1,3

1

25

25

3

0,06

н/д

н/д

0,6

н/д

2Т642А

1/20

0,1/2

н/д

8150

1,1

н/д

20

20

2

0,06

н/д

н/д

0,5

н/д

КТ642А

1/20

0,1/2

н/Д

8150

1,1

н/д

20

20

2

0,06

н/д

н/д

0,5

н/д

2Т642А1

0,5/15

0,1/2

н/д

3600

н/д

н/д

15

12

2

0,04

н/д

н/д

0.35

н/д

2Т642Б1

0,5/15

0,1/2

н/д

3600

н/д

н/д

15

12

2

0,04

н/д

н/д

0,35

н/д

2Т642В1

0,5/15

0,1/2

н/д

3600

н/д

н/д

15

12

2

0,04

н/д

н/д

0,2с

н/д

2Т642Г1

0,5/15

0,1/2

н/д

3600

н/д

н/д

15

12

2

0,04

н/д

н/д

0,23

н/д

2Т643А-2

0,02/25

0,01/3

50-150

10000

1,8

н/д

25

25

3

0,12

0,12

н/д

3,15

н/д

2Т643Б-2

0,02/25

0,01/3

50-150

10000

1,8

н/д

25

25

3

0,12

0,12

н/д

0,15

н/д

2Т647А-2

0,05/18

0,2/2

н/Д

10000

1,5

н/д

18

н/Д

2

0,09

н/д

н/д

5,56

0,8

КТ647А-2

0,05/18

0,2/2

н/д

10000

1.5

н/д

18

н/д

2

0,09

н/Д

н/д

0,56

0,8

2Т648А-2

1/18

0.2/2

н/д

12000

1,5

н/д

18

н/д

2

0,06

н/д

н/д

0,4

0,6

КТ648А-2

1/18

0,2/2

н/д

12000

1,5

н/д

18

н/д

2

0,06

н/д

н/д

0,4

0,6

2Т657А-2

1/12

0,1/2

60-200

7000

1

н/д

н/д

12

2

0,06

н/д

н/д

0,31

н/д

2Т657Б-2

1/12

0,1/2

60-200

7000

1

н/д

н/д

12

2

0.06

н/д

н/д

0,31

н/д

2Т657В-2

1/12

0,1/2

35-50

7000

1

н/д

н/д

12

2

0,06

н/д

н/д

3,37

н/д

КТ657А-2

1/12

0,1/2

60-200

7000

1

н/д

н/д

12

2

0,06

н/д

н/д

3,37

н/д

КТ657Б-2

1/12

0,1/2

60-200

7000

1

н/д

н/д

12

2

0,06

н/д

н/д

3,37

н/д

КТ657В-2

1/12

0,1/2

35-50

7000

1

н/д

н/д

12

2

0.06

н/д

н/д

3,37

н/д

КТ659А

н/д

н/д

min 35

600

10

н/д

60

50

6

1,2

н/д

н/д

1

н/д

2Т671А

1/15

0,4/1,5

н/д

8500

1,5

н/д

15

13

1,5

0,15

0,15

н/д

0,9

н/д

2Т682А-2

1мкА/10

0,02/1

40-70

4700

1

н/д

10

н/д

1

0,05

н/д

н/д

0,33

н/д

2Т682Б-2

1мкА/10

0,02/1

80-100

4700

1

н/д

10

н/Д

1

0,05

н/д

н/д

0,33

н/д

КТ682А-2

1мкА/10

0,02/1

40-50

4700

1

н/д

10

н/д

1

0,05

н/д

н/д

0,33

н/д

В таблице приняты такие обозначения электрических параметров транзисторов :

Iкбо - обратный ток коллектора (коллектор-база), в числителе, при напряжении между коллектором и базой, в знаминателе.
Iэбо - обратный ток эмиттера (эмиттер -база), в числителе, при напряжении между эмиттером и базой, в знаминателе.
h21э — статический коэффициент передачи тока (коэффициент усиления).
Fгр — верхняя граничная частота коэффициента передачи транзистора.
Ск - емкость коллекторного перехода, т к - постоянная времени цепи обратной связи (не более).
Ukб max — максимальное допустимое напряжение между коллектором и базой.
Uкэ max — максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером
Uэб max — максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой.
Iк max — максимальный ток коллектора.
Iк имп. — максимальный импульсный коллекторный ток.
Iб max — максимальный ток базы.
Рmax — максимальная мощность без теплоотвода.
Рт max — максимальная мощность с теплоотводом.

Схема

Схема

Схема